Bộ công cụ tính hỗ trợ điện tử Online


Cảm ơn bạn đã sử dụng công cụ.
Cần hỗ trợ hay báo lỗi thì liên hệ qua zalo: 0389937723
Hỗ trợ các tiền tố:
Nhập giá trị trước tiền tố - VD: 1M.
f p n u m c   k M G T P
femto pico nano micro milli centi (none) kilo mega giga tera peta
10-15 10-12 10-9 10-6 10-3 10-2 100 103 106 109 1012 1015
 
Đối với đại lượng bình phương (ví dụ diện tích), chỉ các hậu tố sau được hỗ trợ: u, m, c, k, M

Định luật Ohm

Nhập hai đại lượng, đại lượng thứ ba sẽ được tính
$R = \dfrac{V}{I}$
Điện áp V
Điện trở Ω
Dòng điện A

Tính toán nguồn (cho mạch DC)

Nhập hai đại lượng, đại lượng thứ ba sẽ được tính
$P = V \cdot I$
Điện áp V
Dòng điện A
Công suất W

Nguồn (cho mạch DC)

Nhập hai đại lượng, đại lượng thứ ba sẽ được tính
$P = V \cdot I \cdot \mathrm{cos}(\phi)$
$Q = V \cdot I \cdot \mathrm{cos}(\phi)$
$ |S| = V_{rms} \cdot I_{rms}$
Số lượng đầu vào
Điện áp V
Dòng điện A
Góc Phase
Số lượng đầu ra
Công suất thực (active) W
Công suất kháng var
Công suất biểu kiến VA

Dòng E6 / E12 / E24 (tiêu chuẩn IEC 60063)

Đầu vào:
Giá trị
Series:
Đầu ra:
Thấp hoặ bằng
Cao hoặc bằng
Phù hợp nhất

Máy tính điện trở LED

$R = \dfrac{V_{in}-V_{LED}}{I_{LED}}$
Đầu vào:
Dòng điện mong muốn A
Điện áp đầu vào V
Điện áp LED V
Dòng điện trở:
Đầu ra:
Điện trở được tính toán Ω
Tiêu hao được tính toán W
Điện trở lớn hơn gần nhất: Ω
Dòng đèn LED mới *: A
* với điện trở lớn hơn gần nhất

Điện dung tụ điện mã 3 chữ số

Nhập điện dung hoặc mã, giá trị khác sẽ được tự động tính toán
Phạm vi cho phép: 10pF đến 99mF (mặc dù các tụ điện lớn hơn 10uF thường không được đánh dấu theo cách này)
Code
Điện dung F
Ký tự B C D F G J K M Z
Tolerance ±0.1pF ±0.25pF ±0.5pF ±1% ±2% ±5% ±10% ±20% +80, -20%

Điện kháng của tụ điện

Nhập hai đại lượng, đại lượng thứ ba sẽ được tính
$X_C = \dfrac{1}{2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot C}$
Điện dung F
Tần số Hz
Điện kháng Ω

Điện kháng cuộn cảm

Enter two quantities, the third one will be calculated
$X_L = 2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot L$
Độ tự cảm H
Tần số Hz
Reactance Ω

Trở kháng mạch RLC

$X_L = 2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot L$
$X_C = \dfrac{1}{2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot C}$
Nối tiếp:
$Z = R + j \cdot 2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot L - \dfrac{j}{2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot C}$
$|Z| = \sqrt{R^2+(X_L-X_C)^2}$
If $X_L > X_C$, then $\phi = \mathrm{arccos} (\dfrac{R}{|Z|})$
If $X_L < X_C$, then $\phi = -\mathrm{arccos} (\dfrac{R}{|Z|})$
Song song:
$|Z| = \dfrac{1}{\sqrt{\frac{1}{R^2} + (\frac{1}{X_L}-\frac{1}{X_C})^2}}$
$\phi = \mathrm{arctan} (\dfrac{R}{\frac{1}{\frac{1}{X_L} - \frac{1}{X_C}}})$
Đầu vào:
Điện trở Ω
Độ tự cảm H
Điện dung F
Tần số Hz
Type:
Đầu ra:
Điện kháng tụ điện Ω
Điện kháng cuộn cảm Ω
Trở kháng Ω
Phần trở kháng tưởng tượng Ω
Chuyển pha rad
Chuyển pha °

Tần số cộng hưởng

Điền 2 giá trị để tính giá trị còn lại.
$f_r = \dfrac{1}{2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot \sqrt{ L \cdot C}}$
Độ tự cảm H
Điện dung F
Tần số Hz

Điện trở giảm chấn tới hạn (không theo chu kỳ) cho mạch RLC

Đầu vào:
$Q < 0.5$ ($Q=\dfrac{R}{Z_0}$ for parallel circuit, $Q=\dfrac{Z_0}{R}$ for series circuit, $Z_0 = \sqrt{\dfrac{L}{C}}$)
Độ tự cảm H
Điện dung F
Loại:
Kết quả:
Điện trở: 0Ω

Capacitor peak dv/dt, peak dòng điện

Enter two quantities, the third one will be calculated.
$I_{max}=C \cdot {\mathrm{max}(\dfrac{\mathrm{d}v(t)}{\mathrm{d}t})}$
Điện dung F
dv/dt V/μs
Max. dòng điện A

Sine wave dv/dt (di/dt)

Nhập hai đại lượng, đại lượng còn lại sẽ được tính toán.
$\mathrm{max} \dfrac{\mathrm{d}v(t)}{\mathrm{d}t} = 2 \cdot \mathrm{\pi} \cdot f \cdot V_m$
Biên độ V (A)
dv/dt hoặc di/dt V/s (A/s)
Tần số Hz

Biên độ sóng sin ↔ RMS

Nhập một số lượng, số lượng còn lại sẽ được tính toán.
$V_{pk} = \sqrt{2} \cdot V_{rms}$
Biên độ V (A)
RMS V (A)

Thời gian tăng, băng thông

Chọn mã hóa / sử dụng, nhập một số lượng, số lượng còn lại sẽ được tính toán.
Giả sử hệ thống bậc nhất, mức suy giảm cho phép 3 dB ở mức tối đa. tần suất, thời gian tăng 10% đến 90%, một số làm tròn được thực hiện.
NRZ/RZ = (Non) Return-To-Zero
$t_r = \dfrac{0.35}{BW} \mathrm{(RZ)}, t_r = \dfrac{0.7}{BW} \mathrm{(NRZ)}$
Mã hóa / sử dụng (RZ/NRZ/analog):
Thời gian tăng s
Băng thông / tần số tối đa: Hz/Baud

RC low-pass filter

Enter three quantities, the fourth one will be calculated.
Input/Đầu ra:
Điện trở Ω
Điện dung F
Tần số Hz
Attenuation dB
Đầu ra:
Phase angle °

RC high-pass filter

Enter three quantities, the fourth one will be calculated.
Input/Đầu ra:
Điện trở Ω
Điện dung F
Tần số Hz
Attenuation dB
Đầu ra:
Phase angle °

Tỷ lệ công suất / chuyển đổi decibel

Nhập một số lượng, số lượng còn lại sẽ được tính toán.
$\mathrm{ratio (dB)} = 10 \cdot \mathrm{lg(ratio)}$
Tỷ lệ công suất
dB

Tỷ lệ điện áp / chuyển đổi decibel

Nhập một số lượng, số lượng còn lại sẽ được tính toán.
$\mathrm{ratio (dB)} = 20 \cdot \mathrm{lg(ratio)}$
Tỷ lệ điện áp
dB

Chuyển đổi công suất / dBm

Nhập một số lượng, số lượng còn lại sẽ được tính toán.
$P = 10^{(0.1 \cdot ({P_{dBm}-30}))}$
Công suấtW
dBm

Tăng dòng cuộn cảm

$\mathrm{\Delta}I = \dfrac{V \cdot \mathrm{\Delta} T}{L}$
Đầu vào:
Độ tự cảm H
Điện áp V
Δ thời gian s
Đầu ra:
Δ dòng điện A

Độ tự cảm/số vòng lõi xuyến

Nhập Độ tự cảm hoặc số lượt, số lượng còn lại sẽ được tính toán tự động.
$L = \dfrac{\mu_r \cdot \mathrm{\mu_0} \cdot N^2 \cdot S}{\mathrm{\pi} \cdot d}$
Đầu vào:
Độ từ thẩm
Độ từ thẩm
Đường kính ngoài m
Đường kính trong m
Chiều cao m
Mặt cắt ngang (mặt cắt tròn được tính toán từ các đường kính)
Đầu vào/Đầu ra:
Độ tự cảm H
Số vòng

Độ tăng điện áp của tụ

$\mathrm{\Delta}V = \dfrac{I \cdot \mathrm{\Delta} T}{C}$
Đầu vào:
Điện dung F
Dòng điện A
Δ thời gian s
Đầu ra:
Δ Điện áp V

Điện dung

Nhập ba đại lượng, đại lượng còn lại sẽ được tính toán.
$C = \dfrac{S \cdot \epsilon_r \cdot \mathrm{\epsilon_0} }{l}$
Kiểu
Permittivity
Diện tích m2
Khoảng cách m
Điện dung F

Nạp tụ điện

Nhập năm đại lượng, đại lượng còn lại sẽ được tính toán tự động
$\tau = R \cdot C$
$t_{total} = \tau \cdot \mathrm{ln} (\dfrac{V_{supply} - V_{initial}}{V_{supply} - V_{final}})$
$V_{final} = V_{initial} + (V_{supply} - V_{initial}) \cdot (1-e^{-t/\tau})$
Đầu vào/Đầu ra:
Điện dung F
Điện trở Ω
Điện áp cung cấp V
Điện áp ban đầu V
Điện áp cuối V
Thời gian s
Đầu ra:
Hằng số của bạn
Dòng điện ban đầu A
Dòng điện sau cùng A

Xả tụ điện

Nhập bốn đại lượng, đại lượng còn lại sẽ được tính toán tự động
$\tau = R \cdot C$
$V_{final} = V_{initial} \cdot (1-e^{-t/\tau})$
Đầu vào/Đầu ra:
Điện dung F
Điện trở Ω
Điện áp ban đầu V
Điện áp sau cùng V
Thời gian s
Đầu ra:
Hằng số của bạn
Dòng điện ban đầu A
Dòng điện cuối A

Khả năng trữ điện của tụ

Nhập hai đại lượng, đại lượng thứ ba sẽ được tính toán tự động
$E = 0.5 \cdot C \cdot V^2$
Điện dung F
Điện áp V
Năng lượng J

ESR ↔ tan δ

Nhập tần số, điện dung và ESR hoặc tan δ
$ESR = X_C \cdot \mathrm{tan}( \delta)$
Tần số Hz
Điện dung F
ESR Ω
tan δ [0-1]

Mạch dao động đa hài 2 transistor

$\tau_1 = R_2 \cdot C_1$
$\tau_2 = R_3 \cdot C_2$
$t_1 = \tau_1 \cdot \mathrm{ln} (\dfrac{2 V_{CC}}{V_{CC}-V_{BE_{sat}}})$
$t_2 = \tau_1 \cdot \mathrm{ln} (\dfrac{2 V_{CC}}{V_{CC}-V_{BE_{sat}}})$
$f=\dfrac{1}{t_1 + t_2}$
Sơ đồ
Đầu vào:
R2 Ω
R3 Ω
C1 F
C2 F
Điện áp:
VBEsat V
VCC V
Đầu ra:
Tần số Hz
Thời gian bật s
Thời gian tắt s

Tính tần số và chu kỳ IC 555

Có thể đạt được chu kỳ nhiệm vụ thấp hơn 50% bằng cách kết nối song song một diode với R2.
$V_{ctrl}$ $=$ Control Điện áp $(\dfrac{\% \mathrm{~of~} V_{CC}}{100})$
Không có diode song song với R2: $T_{low} = \mathrm{ln}(2) \cdot R_2 \cdot C$
Không có diode song song với R2: $T_{high} = (\mathrm{ln}(\dfrac{1-0.5\cdot {V_{ctrl}}}{1-V_{ctrl}}) \cdot (R1+R2) \cdot C$
Diode song song với R2: $T_{high} = (\mathrm{ln}(\dfrac{1-0.5\cdot {V_{ctrl}}}{1-V_{ctrl}}) \cdot R1 \cdot C$ (diode drop is neglected)
$T = T_{low} + T_{high}$
$f = \dfrac{1}{T}$
$\mathrm{Duty} (\%) = 100\cdot \dfrac{T_{high}}{T}$
Sơ đồ
Đầu vào:
R1 (VCC đến DIS) Ω
R2 (DIS đến THR, TR) Ω
C F
Diode song song với R2
Điện áp điều khiển % of VCC
Đầu ra:
Tần số Hz
Thời gian HIGH s
Thời gian LOW s
Chu kỳ %

Mạch giữ nguyên độ rộng xung Ic555

$V_{ctrl}$ $=$ Điện áp điều khiển $(\dfrac{\% \mathrm{~of~} V_{CC}}{100})$
$T = -\mathrm{ln}(1-V_{ctrl}) \cdot R \cdot C$
Sơ đồ
Đầu vào:
Điện trở: Ω
Tụ điện: F
Điện áp khiển % of VCC
Đầu ra:
Chu kỳ: s

Tính tần số IR(S)2153(1)(D)

$f \approx \dfrac{1}{1.4 \cdot (R_t+75) \cdot C_t}$
Sơ đồ
Đầu vào:
Điện trở định thời: Ω
Tụ định thời: F
Đầu ra:
Tần số Hz

Tính tần số UC3842, UC3843, UC3844, UC3845

The result may not be accurate if the timing resistor is lower than 5kΩ
$f_{osc} \approx \dfrac{1.8}{R_t \cdot C_t}$
Sơ đồ
Đầu vào:
Điện trở định thời: Ω
Tụ định thời: F
Loại IC:
Đầu ra:
Tần số dao động Hz
Tần số đầu ra Hz

Tính tần số cho TL494/KA7500

$f_{osc} \approx \dfrac{1}{R_t \cdot C_t}$
Sơ đồ
Đầu vào:
Điện trở định thời: Ω
Tụ định thời: F
Chế độ:
Đầu ra:
Tần số dao động Hz
Tần số đầu ra Hz

Tính tần số cho UC1825 UC2825 UC3825

$f_{osc} \approx \dfrac{1.72}{R_t \cdot C_t}$


Đầu vào:
Điện trở định thời: Ω
Tụ định thời: F
Chế độ:
Đầu ra:
Tần số dao động Hz
Tần số đầu ra Hz

Tính giá trị điện áp feedback LM317, 34063, 2576, 2596, 384x...

Nhập ba đại lượng, đại lượng còn lại sẽ được tự động tính toán
$V_{out} = V_{ref} \cdot (\dfrac{R2}{R1}+1)$
Loại ICĐiện áp
LM317T1.25V
MC340631.25V
LM2576-ADJ1.23V
LM2596-ADJ1.23V
UC384x (VFB)2.5V
R1: Ω (Reference drop)
R2: Ω
Điện áp tham chiếu: V
Điện áp đầu ra: V

Tính độ suy hao khi chuyển mạch xung của MOSFET, IGBT, diode

Tính toán suy hao dẫn riêng (xấp xỉ IRMS*Điện trở FETs, hoặc IAVG đối với diodes và IGBTs). Chân gate có thể bỏ qua.
Hệ số tỷ lệ KS bỏ qua. Theo mô phỏng, nếu một MOSFET có một tổn hao đóng cắt nhất định với một ổ cổng Điện trở (cổng ngoài + cổng trong Điện trở) và nó được tăng gấp đôi, thì tổn thất cũng sẽ tăng gần gấp đôi (Ks≈2). Hệ số MOSFET cũng không có trong PDF gốc và được xác định theo kinh nghiệm thông qua mô phỏng. Tổn hao công tắc và diode phải được tính toán riêng biệt. Tính toán tổn thất bật và tắt riêng biệt và cộng kết quả. Tổn thất khi bật diode thường không thể bỏ qua so với quá trình dẫn và tắt.

$P_{sw} = f \cdot E_{ref} \cdot (\dfrac{I}{I_{ref}})^{K_I} \cdot (\dfrac{V}{V_{ref}})^{K_V} \cdot (1 + K_T \cdot (T-T_{ref})) \cdot K_S$
Loại: Chọn "tùy chỉnh" để điều chỉnh Kx
Switching loss (energy) at Vref, Iref J
Dòng điện tham chiếu A
Điện áp tham chiếu V
Nhiệt độ tham chiếu°C
Dòng điện: A
Điện áp: V
Nhiệt độ hỏng:°C
Tần số: Hz
Hệ số tuỳ chỉnh Ki:
Hệ số tuỳ chỉnh Kv:
Hệ số tuỳ chỉnh Kt:
Tỷ lệ:
Tổn hao công suất:0W

Tổn hao khi sử dụng MOSFET

Tính toán suy hao dẫn riêng (xấp xỉ IRMS*Điện trở cho FETs, hoặc IAVG cho diodes và IGBTs).
Tổn thất của công tắc và diode (diode bên trong - nếu nó dẫn điện) cũng phải được tính toán riêng biệt.
Đừng quên thêm tiền tố, thời gian thường tính bằng nano giây.
Tính toán hiệu ứng Điện trở của cổng (t r , t f phụ thuộc vào R g ) chỉ có thể sử dụng được nếu điện áp của bộ truyền động cổng gần với tham chiếu. Nếu chỉ chuyển đổi một tải nhẹ ở tần số cao, thì có thể là một ý kiến ​​hay khi thêm tổn thất phóng điện từ điện dung DS. Tuy nhiên, điện dung này cũng có thể làm giảm tổn thất khi tắt.
Các hệ số được xác định về mặt lý thuyết bằng cách tuyến tính hóa dạng sóng và tích phân công suất tức thời thông qua thời gian chuyển đổi trong khi tăng / giảm. Chọn "Tùy chỉnh" trong menu thả xuống để sử dụng Kl tùy chỉnh.

$K_g = \dfrac{R_{g\_{int}}+R_{g\_{ext}}}{R_{g\_{int}}+R_{{g\_{ext}}\_{ref}}}$
$E_{cap} = 0.5 \cdot C_{oss} \cdot {V^2_{ds\_{off}}}$
${E_{sw}}_{on} = K_c \cdot K_g \cdot K_l \cdot t_r \cdot {V_{ds\_on}} \cdot {I_{d\_on}}$
${E_{sw}}_{off} = K_c \cdot K_g \cdot K_l \cdot t_f \cdot {V_{ds\_off}} \cdot {I_{d\_off}}$
$P_{sw} = f*({E_{sw\_on}}+{E_{sw\_off}}+E_{cap})$
Tần số chuyển Hz
Reference rise time s
Reference fall time s
Turn-on drain-source Điện áp V
Turn-on drain dòng điện A
Turn-off drain-source Điện áp V
Turn-off drain dòng điện A
Consider gate Điện trở:
External gate Điện trở Ω
Reference ext. gate Điện trở Ω
Internal gate Điện trở Ω
Consider Cds:
Drain-source capacitance F
Turn-on load:
Turn-off load:
Custom Kl coefficient, turn-on
Custom Kl coefficient, turn-off
Custom Esw scaling factor KC:
Công suất dissipation:0W

MOSFET/IGBT gate drive loss

$P_{gd} = f \cdot V_{gs\_s} \cdot Q_g$
Frequency: Hz
Gate Điện áp swing: V
Gate charge: C
Công suất dissipation:0W

MOSFET, IGBT, diode, resistor conduction loss calculator

Enter only quantities related to the waveform and part type
This function (conduction loss for various waveforms) is still UNDER CONSTRUCTION and might not be accurate.
For simplicity, constant Điện áp drop is assumed for diodes, constant Điện trở is assumed for MOSFETs.
${P_{D,IGBT}} \approx V_{drop} \cdot I_{ARV}$
$P_{MOSFET} \approx R \cdot I^2_{RMS}$
Table
* this is only a fairly rough estimation (error ≤6.7%), valid only for Imt<5*Ims
Multiply RMS value of sine/triangle by sqrt(2) to get RMS value of half-rectified sine/triangle
Ims refers to sine amplitude, Imt to triangle amplitude.
Waveform$I_{RMS}$$I_{ARV}$
Sine$0.7071 \cdot I_m$$0.6366 \cdot I_m$
Triangle$0.5774 \cdot I_m$$0.5 \cdot I_m$
Square, D=0 to 1$\sqrt{D \cdot I_{high}^2 +(1-D)\cdot I_{low}^2}$$D \cdot I_{high} \\+ (1-D) \cdot I_{low}$
Superposed triangle and sine, min. at t=0 $\sqrt{I_{rms}^2} \\ I_{rms}^2 = \\ (0.5372 \cdot I_{mt} \\ +0.7071*I_{ms})^2 \\ +(0.0699*I_{mt})^2 $ $0.6366 \cdot I_{ms} \\ + 0.5 \cdot I_{mt}$
Superposed triangle and sine, tri. +max. at t=0 $\sqrt{I^2_{rms}} \\ I_{rms}^2 = \\ ((0.5774*I_{mt})^2 \\ +(0.7071*I_{ms})^2)$ $I_{ms} \cdot (0.62+0.2338*(\frac{I_{mt}}{I{ms}}) \\ +0.0403 \cdot (\frac{I_{mt}}{I_{ms}})^2 \\ -0.002\cdot(\frac{I_{mt}}{I{ms}})^3)$  (*)
Part type:
Waveform:
Rectangular wave, low dòng điện: A
Rectangular wave, high dòng điện: A
Rectangular wave, duty cycle: %
Sine/half-sine dòng điện amplitude: A
Triangle/half-triangle dòng điện amplitude: A
Custom RMS dòng điện: A
Custom average rectified dòng điện: A
MOSFET on-state/resistor Điện trở: Ω
IGBT/Diode Điện áp drop: V
Công suất dissipation:0W

Tác giả

F. Štefanec
 

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

+ 88 = 92